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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	150A
	最大集电极-发射极电压	650 V
	最大栅极发射极电压	±20V
	晶体管数	1
	最大功率耗散	621 W
	配置	单集电极、单发射极、单栅极
	封装类型	PG-TO247-3-plus-N
	安装类型	通孔
	通道类型	N
	引脚数目	3

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 150A
	最大集电极-发射极电压 650 V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	晶体管数 1
	最大功率耗散 621 W
	配置单集电极、单发射极、单栅极
	封装类型 PG-TO247-3-plus-N
	安装类型通孔
	通道类型 N
	引脚数目 3

Datasheet - IKQ150N65EH7XKSA1

英飞凌 IGBT 采用高速和低饱和电压设计，专为各行各业的苛刻应用而量身定制，是尖端性能的典范。该产品采用先进的沟道止动 IGBT7 技术，在 650 V 电压下可实现出色的效率。其与软快速恢复发射极受控 7 二极管的共封装结构可确保出色的可靠性和集成电路性能。是工业 UPS 系统和电动汽车充电站的理想之选该产品在设计时考虑到了防潮性能，在恶劣环境中也能经久耐用。

开关损耗低，效率高
集电极发射极饱和电压低
针对硬开关应用进行了优化
确保防潮性能，提高可靠性
提供一系列产品和 PSpice 模型
符合工业应用和严格标准

Infineon N沟道IGBT, Ic 150A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO247-3-plus-N, 通孔安装