Infineon N型沟道, IKQ150N65EH7XKSA1 IGBT, Ic 160 A, VCEO 650 V, 3引脚, PG-TO-247-3-PLUS-N, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 284-991
- 制造商零件编号:
- IKQ150N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 284-991
- 制造商零件编号:
- IKQ150N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 160A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 621W | |
| 包装类型 | PG-TO-247-3-PLUS-N | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 宽度 | 15.9 mm | |
| 长度 | 20.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 160A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 621W | ||
包装类型 PG-TO-247-3-PLUS-N | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
高度 5.1mm | ||
宽度 15.9 mm | ||
长度 20.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 以其高速和低饱和电压设计展现了先进性能，专为各行业的严苛应用而打造。此产品采用先进的沟槽截止型IGBT7技术，可在650V电压下实现卓越效率。它采用共封装结构，配备柔软、快速复位的发射极控制7二极管，确保卓越的可靠性和集成电路性能。该产品适用于工业 UPS 系统和电动汽车充电站。设计时考虑到了耐湿性，在恶劣环境中更加耐用。
提供低开关损耗以确保效率
提供低集电极-发射极饱和电压
经过优化，适用于硬开关应用
确保湿度稳定性以提高可靠性
提供一系列产品和 PSpice 型号
符合工业应用和严格标准