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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	75 A
	最大集电极-发射极电压	1200V
	最大栅极发射极电压	±20V
	晶体管数	1
	最大功率耗散	630 W
	封装类型	PG-TO247-3-plus-N
	配置	单集电极、单发射极、单栅极
	安装类型	通孔
	通道类型	N
	引脚数目	3

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 75 A
	最大集电极-发射极电压 1200V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	晶体管数 1
	最大功率耗散 630 W
	封装类型 PG-TO247-3-plus-N
	配置单集电极、单发射极、单栅极
	安装类型通孔
	通道类型 N
	引脚数目 3

Datasheet - IKQ75N120CS7XKSA1

英飞凌 IGBT 7 技术采用了坚固耐用的 1200 V 短路沟道止动 IGBT 技术，集高性能与卓越可靠性于一身，是工业应用的理想选择。该产品专为实现出色的热管理而设计，在优化开关特性的同时，还具有强大的短路承受能力。低饱和电压和软低 Qrr 二极管的集成提高了整体效率，同时提供了全面的电流处理能力。该元件尤其适用于太阳能逆变器和工业驱动器等先进的转换器设计，可在苛刻条件下提高系统性能和坚固性。

针对硬开关拓扑结构进行了优化，以提高效率
低饱和电压可提高系统效率
坚固耐用的短路保护确保可靠的故障运行
符合 JEDEC 标准的工业应用要求
广泛的 PSpice 模型可实现有效模拟
易于集成到各种工业电源中
强大的耐热性提高了可靠性和使用寿命

Infineon N沟道IGBT, Ic 75 A, VCEO 1200V, 3针, PG-TO247-3-plus-N, 通孔安装