Infineon N沟道IGBT, Ic 160A, VCEO 750V, 3针, PG-TO247-3-plus-N, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 285-000
- 制造商零件编号:
- IKQB160N75CP2AKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 285-000
- 制造商零件编号:
- IKQB160N75CP2AKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 160A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 750V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 750 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | PG-TO247-3-plus-N | |
| 配置 | 单集电极、单发射极、单栅极 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 160A | ||
最大集电极-发射极电压 750V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 750 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 PG-TO247-3-plus-N | ||
配置 单集电极、单发射极、单栅极 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
英飞凌 IGBT 是一款短路保护型 750 V EDT2 IGBT，专门为回流焊接封装中的高性能应用而设计。这种尖端元件具有出色的效率和可靠性，是工作频率高达 10 kHz 的硬开关拓扑结构的理想之选。与软快速恢复二极管共同封装。该封装兼容先进的焊接技术，可确保在苛刻的环境中实现稳固的连接。这种 IGBT 专为工业应用而优化，有助于加强对动力总成模块和通用驱动器的控制，证明了其在现代电子产品中的重要作用。该产品通过了 JEDEC 标准的严格验证，是电力电子产品可靠性、安全性和性能的典范。
饱和电压低，效率高
坚固耐用，提高热性能
适用于可靠性要求苛刻的工业环境
针对回流焊接工艺进行了优化
确保短路坚固性，保证安全
最大限度降低开关损耗，提高系统效率
随附 PSpice 模型，便于仿真
坚固耐用，提高热性能
适用于可靠性要求苛刻的工业环境
针对回流焊接工艺进行了优化
确保短路坚固性，保证安全
最大限度降低开关损耗，提高系统效率
随附 PSpice 模型，便于仿真