Infineon N沟道IGBT, Ic 200A, VCEO 750V, 3针, PG-TO247-3-plus-N, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 285-003
- 制造商零件编号:
- IKQB200N75CP2AKSA1
- 制造商:
- Infineon
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 285-003
- 制造商零件编号:
- IKQB200N75CP2AKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 200A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 750V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 937 W | |
| 封装类型 | PG-TO247-3-plus-N | |
| 配置 | 单集电极、单发射极、单栅极 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 200A | ||
最大集电极-发射极电压 750V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 937 W | ||
封装类型 PG-TO247-3-plus-N | ||
配置 单集电极、单发射极、单栅极 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
英飞凌 IGBT 是一款高性能 EDT2 IGBT，专为要求苛刻的应用而设计。它采用坚固耐用的短路设计，可有效管理高达 750 V 的高压，同时具有出色的散热性能。该元件采用回流焊接封装，可确保轻松集成到各种系统中，支持 CAV 动力总成控制模块和通用驱动器等应用。这款 IGBT 专为优化开关效率而设计，兼顾了低导通损耗和快速开关能力，从而为高达 10 kHz 的高频操作提供了可靠的解决方案。
短路保护结构坚固可靠
针对硬开关拓扑结构进行了优化，以提高效率
低饱和电压可最大限度地减少能量损失
用于回流焊接的多功能包装提高了灵活性
集成软恢复二极管可降低开关损耗
符合 JEDEC 标准的工业应用要求
全面的产品生态系统，提供 PSpice 模型
针对硬开关拓扑结构进行了优化，以提高效率
低饱和电压可最大限度地减少能量损失
用于回流焊接的多功能包装提高了灵活性
集成软恢复二极管可降低开关损耗
符合 JEDEC 标准的工业应用要求
全面的产品生态系统，提供 PSpice 模型