Infineon N型沟道, IKWH100N65EH7XKSA1 IGBT, VCEO 650 V, 3引脚, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, 通孔安装

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RS 库存编号:
285-005
制造商零件编号:
IKWH100N65EH7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

427W

包装类型

PG-TO-247-3-STD-NN4.8

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

最低工作温度

-40°C

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

最高工作温度

175°C

长度

20.1mm

高度

5.1mm

系列

IGBT7

标准/认证

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

汽车标准

COO (Country of Origin):
DE
Infineon IGBT 是一款采用先进TRENCHSTOP IGBT7技术的先进电源模块。其设计注重高效率,提供低饱和电压和快速开关能力,适用于严苛的工业应用。该模块支持650V的集电极-发射极电压额定值,专为在各种条件下实现稳健性能而设计。 它采用一体式发射极控制二极管,在确保平稳运行的同时,还通过出色的湿度耐受性保障用户安全。该产品适用于工业UPS系统、电动汽车充电和组串式逆变器等应用,是电力电子领域高可靠性和先进工程技术的典范。 它提供全面的热管理,并根据JEDEC标准进行产品验证,因此成为寻求高性能解决方案的工程师的可靠选择。

最大程度减少开关损耗以提升性能

专为卓越的集电极-发射极饱和电压而设计

包含快速复位二极管,可实现出色的响应

确保湿度稳定性以实现可靠运行

针对各种高功率应用进行了优化

提供全面的热管理,可实现高效散热

适合工业应用,确保可靠性

提供平稳开关以减少电气噪声

支持多种电压以适应不同需求