Infineon N型沟道, IKWH50N65EH7XKSA1 IGBT, VCEO 650 V, 3引脚, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 285-011
- 制造商零件编号:
- IKWH50N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 管，共 30 件）*
RMB828.45
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RMB936.15
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | RMB27.615 | RMB828.45 |
| 120 + | RMB26.235 | RMB787.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 285-011
- 制造商零件编号:
- IKWH50N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 249W | |
| 包装类型 | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最低工作温度 | 40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 20.1mm | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 249W | ||
包装类型 PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最低工作温度 40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 20.1mm | ||
高度 5.1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 是一款精密的高速IGBT，旨在为严苛应用提供卓越性能。此 650V 器件采用先进的槽截止技术，可显著降低开关损耗，并具有极低的集电极-发射极饱和电压。其稳健设计确保卓越的可靠性，因此成为节能系统的理想选择，例如工业UPS和电动汽车充电解决方案。该器件具有出色的热管理特性，并符合严格的JEDEC标准，凭借其在各种应用中的通用性和耐用性得以脱颖而出。
低开关损耗可提高能效
确保湿度稳定性以实现可靠运行
针对两级和三级拓扑结构进行了优化
软质快速复位二极管，可提升性能
经工业标准验证，确保可靠性
全面的产品系列和PSpice模型
高集电极电流，适用于严苛应用