Infineon N沟道IGBT, Ic 80A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO247-3-STD-NN4.8, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 285-013
- 制造商零件编号:
- IKWH50N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 包，共 2 件）*
¥72.96
(不含税)
¥82.44
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 + | RMB36.48 | RMB72.96 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 285-013
- 制造商零件编号:
- IKWH50N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 80A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 249 W | |
| 配置 | 单集电极、单发射极、单栅极 | |
| 封装类型 | PG-TO247-3-STD-NN4.8 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 80A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 249 W | ||
配置 单集电极、单发射极、单栅极 | ||
封装类型 PG-TO247-3-STD-NN4.8 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
英飞凌 IGBT 是一种精密的高速 IGBT，专为在要求苛刻的应用中提供出色的性能而设计。这款 650V 器件采用先进的沟槽止动技术，可显著降低开关损耗和超低集电极发射极饱和电压。其坚固的设计确保了卓越的可靠性，是工业 UPS 和电动汽车充电解决方案等节能系统的理想选择。该器件具有出色的热管理特性，符合严格的 JEDEC 标准，在各种应用中都具有多功能性和耐用性。
开关损耗低，效率更高
防潮性强，运行可靠
针对两级和三级拓扑结构进行了优化
软快速恢复二极管提高了性能
已通过工业标准的可靠性验证
全面的产品系列和 PSpice 模型
集电极电流高，适用于要求苛刻的应用
防潮性强，运行可靠
针对两级和三级拓扑结构进行了优化
软快速恢复二极管提高了性能
已通过工业标准的可靠性验证
全面的产品系列和 PSpice 模型
集电极电流高，适用于要求苛刻的应用