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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	75 A
	最大集电极-发射极电压	650 V
	最大栅极发射极电压	±20V
	晶体管数	1
	最大功率耗散	341 W
	配置	单集电极、单发射极、单栅极
	封装类型	PG-TO247-3-STD-NN4.8
	安装类型	通孔
	通道类型	N
	引脚数目	3

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 75 A
	最大集电极-发射极电压 650 V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	晶体管数 1
	最大功率耗散 341 W
	配置单集电极、单发射极、单栅极
	封装类型 PG-TO247-3-STD-NN4.8
	安装类型通孔
	通道类型 N
	引脚数目 3

Datasheet - IKWH75N65EH7XKSA1

英飞凌 IGBT 利用 650 V TRENCHSTOP IGBT7 技术的优越性能，在电力电子领域取得了突破性进展。这款 IGBT 专为高速应用而设计，具有低饱和电压和最小开关损耗的特点，是工业 UPS、电动汽车充电和组串逆变器等各种高要求应用的理想选择。其坚固的结构可确保防潮性能和优化的开关性能，是两级和三级拓扑结构的可靠解决方案。凭借其全面的产品系列和 PSpice 模型，用户可以有效地将该 IGBT 集成到其系统中，充分发挥其先进功能。

集电极发射极饱和电压低
开关损耗低，效率更高
针对动态硬开关应用进行了优化
防潮性能确保运行可靠性
无缝适应各种电源应用
符合 JEDEC 标准的工业用途要求
支持强大的电源转换解决方案
与 PSpice 模型集成，提高设计灵活性

Infineon N沟道IGBT, Ic 75 A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO247-3-STD-NN4.8, 通孔安装