Infineon N型沟道, IKWH75N65EH7XKSA1 IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3引脚, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 285-016
- 制造商零件编号:
- IKWH75N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 285-016
- 制造商零件编号:
- IKWH75N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 80A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 341W | |
| 包装类型 | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最低工作温度 | 40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 15.9 mm | |
| 长度 | 20.1mm | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 80A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 341W | ||
包装类型 PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最低工作温度 40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 15.9 mm | ||
长度 20.1mm | ||
高度 5.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 凭借卓越的650V 沟槽截止 IGBT7技术性能，代表着电力电子领域的突破性进展。此IGBT专为高速应用而设计，具有低饱和电压和最低开关损耗，是工业UPS、电动汽车充电和组串式逆变器等多种严苛应用的理想选择。 其坚固的结构确保防潮性和优化的开关性能，是两电平和三电平拓扑结构的可靠解决方案。凭借全面的产品系列和PSpice模型的支持，用户可以有效地将该IGBT集成到他们的系统中，从而充分利用其先进性能。
提供低集电极-发射极饱和电压
低开关损耗，可提升效率
经过优化，适用于动态硬开关应用
湿度稳定性确保可靠运行
无缝适应各种电力应用
符合JEDEC标准的工业级应用
支持强大的电源转换解决方案
与 PSpice 型号集成，提供设计灵活性