Infineon N型沟道, IKY120N65EH7XKSA1 IGBT, Ic 160 A, VCEO 650 V, 4引脚, PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 285-019P
- 制造商零件编号:
- IKY120N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 285-019P
- 制造商零件编号:
- IKY120N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 160A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 498W | |
| 包装类型 | PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | 40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 宽度 | 15.9 mm | |
| 长度 | 20.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 160A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 498W | ||
包装类型 PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 4 | ||
最低工作温度 40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 5.1mm | ||
宽度 15.9 mm | ||
长度 20.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 采用650V沟槽截止IGBT7技术，展现了先进的技术实力，专为高效能和最小开关损耗而设计。 该设备专为在各种应用中实现稳健性能而设计，涵盖工业UPS系统和电动汽车充电领域。其独特的结构确保低集电极-发射极饱和电压，有助于实现顺畅的开关行为，同时在严苛条件下保持可靠性。
高速运行可提升系统响应能力
低开关损耗可提高能效
湿度坚固性确保可靠的性能
针对硬开关应用进行了优化，用途广泛
全面的产品系列，可满足各种需求
柔性复位二极管可最大程度降低电气应力