Infineon N沟道IGBT, Ic 160A, VCEO 650 V, 4针, PG-TO247-4-PLUS-NN5.1, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 285-019P
- 制造商零件编号:
- IKY120N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 285-019P
- 制造商零件编号:
- IKY120N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 160A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 498 W | |
| 封装类型 | PG-TO247-4-PLUS-NN5.1 | |
| 配置 | 单集电极、单发射极、单栅极 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 160A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 498 W | ||
封装类型 PG-TO247-4-PLUS-NN5.1 | ||
配置 单集电极、单发射极、单栅极 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 4 | ||
英飞凌 IGBT 具有 650 V 沟槽截止 IGBT7 特性，专为实现高效率和最小开关损耗而设计，是尖端技术的典范。该设备专为工业 UPS 系统和电动汽车充电等各种应用而设计，性能稳定可靠。其独特的结构可确保较低的集电极发射极饱和电压，从而在苛刻条件下保持可靠性的同时，实现平稳的开关性能。
高速运行提高系统响应速度
开关损耗低，能效更高
防潮性能确保性能可靠
针对硬开关应用进行了优化，具有多功能性
全面的产品系列满足不同需求
软恢复二极管可最大限度地减少电应力
开关损耗低，能效更高
防潮性能确保性能可靠
针对硬开关应用进行了优化，具有多功能性
全面的产品系列满足不同需求
软恢复二极管可最大限度地减少电应力