Infineon N型沟道, IKY150N65EH7XKSA1 IGBT, Ic 160 A, VCEO 650 V, 4引脚, PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1, 通孔安装

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RS 库存编号:
285-020
制造商零件编号:
IKY150N65EH7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

160A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

621W

包装类型

PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

4

最低工作温度

40°C

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

5.1mm

长度

21.1mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
DE
Infineon IGBT 采用先进的沟槽技术,优化了低饱和电压并降低了开关损耗。它尤其适用于严苛应用,可在工业环境中提供稳健性能。该设备采用先进构造,在承载大电流负载的同时仍能保持出色的热稳定性。 此组件尤其适用于电动汽车充电系统和工业 UPS 解决方案,可确保关键应用中的可靠性和安全性。

支持最大集电极-发射极电压650V

可处理高达 150 A 的连续电流

配备柔性且快速复位的反并联二极管

符合JEDEC工业应用标准

易于与明确定义的 PSpice 型号集成

平滑开关行为可提升系统效率