Infineon N沟道IGBT, Ic 160A, VCEO 650 V, 4针, PG-TO247-4-PLUS-NN5.1, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 285-022
- 制造商零件编号:
- IKY150N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 285-022
- 制造商零件编号:
- IKY150N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 160A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 621 W | |
| 配置 | 单集电极、单发射极、单栅极 | |
| 封装类型 | PG-TO247-4-PLUS-NN5.1 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 160A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 621 W | ||
配置 单集电极、单发射极、单栅极 | ||
封装类型 PG-TO247-4-PLUS-NN5.1 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 4 | ||
英飞凌 IGBT 采用最先进的沟槽技术，优化了低饱和电压并降低了开关损耗。它是要求苛刻的应用场合的理想选择，可在工业环境中提供稳定的性能。凭借先进的结构，该器件可有效管理大电流负载，同时保持出色的热稳定性。该组件特别适用于电动汽车充电系统和工业 UPS 解决方案，可确保关键应用的可靠性和安全性。
集电极发射极电压最大支持 650 V
可处理高达 150 A 的连续电流
具有软启动和快速恢复功能的反并联二极管
符合 JEDEC 标准的工业应用要求
与定义明确的 PSpice 模型轻松集成
流畅的切换行为提高了系统效率
可处理高达 150 A 的连续电流
具有软启动和快速恢复功能的反并联二极管
符合 JEDEC 标准的工业应用要求
与定义明确的 PSpice 模型轻松集成
流畅的切换行为提高了系统效率