Infineon N型沟道, IKY150N65EH7XKSA1 IGBT, Ic 160 A, VCEO 650 V, 4引脚, PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 285-022
- 制造商零件编号:
- IKY150N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 件）*
RMB121.76
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB121.76 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 285-022
- 制造商零件编号:
- IKY150N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 160A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 621W | |
| 包装类型 | PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最低工作温度 | 40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 21.1mm | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 160A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 621W | ||
包装类型 PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 4 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最低工作温度 40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 21.1mm | ||
高度 5.1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 采用先进的沟槽技术，优化了低饱和电压并降低了开关损耗。它尤其适用于严苛应用，可在工业环境中提供稳健性能。该设备采用先进构造，在承载大电流负载的同时仍能保持出色的热稳定性。 此组件尤其适用于电动汽车充电系统和工业 UPS 解决方案，可确保关键应用中的可靠性和安全性。
支持最大集电极-发射极电压650V
可处理高达 150 A 的连续电流
配备柔性且快速复位的反并联二极管
符合JEDEC工业应用标准
易于与明确定义的 PSpice 型号集成
平滑开关行为可提升系统效率