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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	75 A
	最大集电极-发射极电压	1200V
	最大栅极发射极电压	±20V
	最大功率耗散	549 W
	晶体管数	1
	配置	单集电极、单发射极、单栅极
	封装类型	PG-TO247-4-PLUS-NN5.1
	安装类型	通孔
	通道类型	N
	引脚数目	4

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 75 A
	最大集电极-发射极电压 1200V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	最大功率耗散 549 W
	晶体管数 1
	配置单集电极、单发射极、单栅极
	封装类型 PG-TO247-4-PLUS-NN5.1
	安装类型通孔
	通道类型 N
	引脚数目 4

Datasheet - IKY75N120CH7XKSA1

英飞凌 IGBT 采用先进的高速 1200V TRENCHSTOP IGBT 7 技术器件，性能卓越，经过优化，可在工业 UPS、电动汽车充电和焊接等具有挑战性的应用中实现高效率。该元件设计用于应对 175°C 的最高结温，可确保最大限度地减少能量损失并改善热管理，从而延长运行寿命。其坚固的结构包括无铅电镀，符合 RoHS 标准，确保对环境负责。这款 IGBT 具有高达 75A 的高效电流处理能力，可在苛刻条件下运行，同时提高系统效率。

高速开关提高性能
针对高效硬开关进行了优化
内置快速恢复二极管，提高了可靠性
无铅电镀符合环保标准
可处理高结温，经久耐用
用户友好型设计便于并联

Infineon N沟道IGBT, Ic 75 A, VCEO 1200V, 4针, PG-TO247-4-PLUS-NN5.1, 通孔安装