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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	140A
	最大集电极-发射极电压	650 V
	最大栅极发射极电压	±20V
	最大功率耗散	429 W
	晶体管数	1
	封装类型	PG-TO247-4-STD-NT3.7
	配置	单集电极、单发射极、单栅极
	安装类型	通孔
	通道类型	N
	引脚数目	4

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 140A
	最大集电极-发射极电压 650 V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	最大功率耗散 429 W
	晶体管数 1
	封装类型 PG-TO247-4-STD-NT3.7
	配置单集电极、单发射极、单栅极
	安装类型通孔
	通道类型 N
	引脚数目 4

Datasheet - IKZA100N65EH7XKSA1

英飞凌 IGBT 可在保持低饱和电压的同时提供出色的开关能力。它采用最先进的 TRENCHSTOP IGBT7 技术，可在 650 V 电压下高效运行，优化了高要求应用中的功率损耗管理。该设备兼具高速运行和可靠性，是工业 UPS 系统、电动汽车充电应用和组串逆变器的理想之选。其集成的软恢复二极管可确保平稳过渡，而强大的热管理功能则可在压力下提高使用寿命和性能。

开关损耗低，效率更高
耐湿性强，适用于挑战性环境
针对灵活的硬开关进行了优化
平滑切换减少电磁干扰
集成 PSpice 模型支持设计优化
符合 JEDEC 标准，可用于工业用途
轻松集成简化了安装过程

Infineon N沟道IGBT, Ic 140A, VCEO 650 V, 4针, PG-TO247-4-STD-NT3.7, 通孔安装