Infineon N沟道IGBT, Ic 70A, VCEO 1200V, 4针, PG-TO247-4-STD-NT3.7, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 285-033P
- 制造商零件编号:
- IKZA40N120CH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 285-033P
- 制造商零件编号:
- IKZA40N120CH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 70A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 330 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 配置 | 单集电极、单发射极、单栅极 | |
| 封装类型 | PG-TO247-4-STD-NT3.7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 70A | ||
最大集电极-发射极电压 1200V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 330 W | ||
晶体管数 1 | ||
配置 单集电极、单发射极、单栅极 | ||
封装类型 PG-TO247-4-STD-NT3.7 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 4 | ||
英飞凌 IGBT 采用创新的沟槽止动 IGBT 7 技术,专为高速应用而设计,具有先进的性能。这种强大的元件可处理高达 1200 V 的电压,优化了工业 UPS 和电动汽车充电系统等关键设备的效率。其共同封装的快速二极管可确保设备在苛刻条件下有效运行。该器件可在 175°C 的最高结温下工作,在管理大电流的同时具有出色的稳定性,从而确保在实际应用中能够自信地应对工程挑战。
针对快速切换和增强性能进行了优化
饱和电压低,能效更高
强大的热管理确保长期可靠性
轻松并行支持模块化设计和可扩展性
无铅电镀符合环保规定
饱和电压低,能效更高
强大的热管理确保长期可靠性
轻松并行支持模块化设计和可扩展性
无铅电镀符合环保规定
