STMicroelectronics , STGHU30M65DF2AG IGBT, 双门, 1个, Ic 84 A, VCEO 650 V, 7引脚, HU3PAK, 表面安装
- RS 库存编号:
- 285-637
- 制造商零件编号:
- STGHU30M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 卷，共 600 件）*
¥16,267.20
(不含税)
¥18,382.20
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年8月03日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 600 + | RMB27.112 | RMB16,267.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 285-637
- 制造商零件编号:
- STGHU30M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 84A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 441W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 配置 | 双门 | |
| 包装类型 | HU3PAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 3.6mm | |
| 长度 | 11.9mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 84A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 441W | ||
晶体管数 1 | ||
配置 双门 | ||
包装类型 HU3PAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 3.6mm | ||
长度 11.9mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
此 STMicroelectronics 器件是使用高级专有槽门现场顶部结构开发的 IGBT。该设备是 M 系列 IGBT 的一部分,它代表了变频器系统性能和效率之间的最佳平衡,在那里低损耗和短路功能是必不可少的。此外,正 VCE(sat) 温度系数和紧凑的参数分布导致更安全的并行操作。
最大接线温度 TJ = 175 °C
6 μs 最小短路耐受时间
严格的参数分布
更安全的并行
低热阻
柔软且非常快速的恢复反平行二极管
额外的驱动开尔文引脚带来出色的开关性能