STMicroelectronics IGBT, Ic 84 A, VCEO 650 V, 7针, HU3PAK, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 285-638
- 制造商零件编号:
- STGHU30M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥25.59
(不含税)
¥28.92
(含税)
有库存
- 595 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB25.59 |
| 10 - 99 | RMB23.06 |
| 100 + | RMB21.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 285-638
- 制造商零件编号:
- STGHU30M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 84 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 441 W | |
| 配置 | 双栅极 | |
| 封装类型 | HU3PAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 84 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 441 W | ||
配置 双栅极 | ||
封装类型 HU3PAK | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 7 | ||
这款意法半导体器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的 IGBT。该设备是 M 系列 IGBT 的一部分,它代表了变频器系统性能和效率之间的最佳平衡,在那里低损耗和短路功能是必不可少的。此外，正 VCE（饱和）温度系数和紧密的参数分布使并联运行更加安全。
最高结温 TJ = 175 °C
6 μs 的最短短路耐受时间
严格的参数分布
更安全的并联
低热阻
软且恢复速度极快的反并联二极管
额外的驱动开尔文引脚带来出色的开关性能
6 μs 的最短短路耐受时间
严格的参数分布
更安全的并联
低热阻
软且恢复速度极快的反并联二极管
额外的驱动开尔文引脚带来出色的开关性能