STMicroelectronics , GH50H65DRB2-7AG IGBT, 1个, Ic 108 A, VCEO 650 V, 7引脚, H2PAK-7, 表面安装
- RS 库存编号:
- 330-362
- 制造商零件编号:
- GH50H65DRB2-7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥23.54
(不含税)
¥26.60
(含税)
有库存
- 另外 1,845 件在 2026年3月30日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB23.54 |
| 10 - 99 | RMB22.36 |
| 100 - 499 | RMB21.24 |
| 500 - 999 | RMB20.18 |
| 1000 + | RMB19.17 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 330-362
- 制造商零件编号:
- GH50H65DRB2-7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 108A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功耗 Pd | 385W | |
| 包装类型 | H2PAK-7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 15.25mm | |
| 高度 | 4.8mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 Ic 108A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功耗 Pd 385W | ||
包装类型 H2PAK-7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 15.25mm | ||
高度 4.8mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体最新的 IGBT 650 HB2 系列是先进的专有沟槽栅场截止结构的演进。由于在低电流值时具有更好的 VCE（饱和）性能，HB2 系列在传导方面的性能得到了优化，同时还降低了开关能量。
符合 AEC-Q101 标准
最高结温 TJ 等于 175 °C
高速开关系列
尾电流最小化
严格的参数分布
低热阻
正 VCE（饱和）温度系数
与高强度整流二极管共同封装
额外的驱动开尔文引脚带来出色的开关性能