STMicroelectronics IGBT, Ic 108A, VCEO 650 V, 7针, H2PAK-7, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 330-362
- 制造商零件编号:
- GH50H65DRB2-7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB23.54 |
| 10 - 99 | RMB21.21 |
| 100 - 499 | RMB19.55 |
| 500 - 999 | RMB18.10 |
| 1000 + | RMB16.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 330-362
- 制造商零件编号:
- GH50H65DRB2-7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 108A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 385 W | |
| 封装类型 | H2PAK-7 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 108A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 385 W | ||
封装类型 H2PAK-7 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 7 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体最新的 IGBT 650 HB2 系列是先进的专有沟槽栅场截止结构的演进。由于在低电流值时具有更好的 VCE（饱和）性能，HB2 系列在传导方面的性能得到了优化，同时还降低了开关能量。
符合 AEC-Q101 标准
最高结温 TJ 等于 175 °C
高速开关系列
尾电流最小化
严格的参数分布
低热阻
正 VCE（饱和）温度系数
与高强度整流二极管共同封装
额外的驱动开尔文引脚带来出色的开关性能
最高结温 TJ 等于 175 °C
高速开关系列
尾电流最小化
严格的参数分布
低热阻
正 VCE（饱和）温度系数
与高强度整流二极管共同封装
额外的驱动开尔文引脚带来出色的开关性能