STMicroelectronics IGBT, Ic 87 A, VCEO 650 V, 3针, 到 -247 长引线, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 330-470
- 制造商零件编号:
- STGWA30M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 330-470
- 制造商零件编号:
- STGWA30M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 87 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 441 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | 到 -247 长引线 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 87 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 441 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 到 -247 长引线 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的 IGBT 采用先进的专有沟槽栅极场截止结构。该设备是 M 系列 IGBT 的一部分,它代表了变频器系统性能和效率之间的最佳平衡,在那里低损耗和短路功能是必不可少的。
严格的参数分布
低热阻
软且恢复速度极快的反并联二极管
低热阻
软且恢复速度极快的反并联二极管