STMicroelectronics , STGWA30M65DF2AG IGBT, 1个, Ic 87 A, VCEO 650 V, 3引脚, 至 247 ll, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 330-470
- 制造商零件编号:
- STGWA30M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 330-470
- 制造商零件编号:
- STGWA30M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 87A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 441W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 包装类型 | 至 247 ll | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 高度 | 21mm | |
| 宽度 | 15.8 mm | |
| 长度 | 19.92mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 Ic 87A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 441W | ||
晶体管数 1 | ||
包装类型 至 247 ll | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
高度 21mm | ||
宽度 15.8 mm | ||
长度 19.92mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的 IGBT 采用先进的专有沟槽栅极场截止结构。该设备是 M 系列 IGBT 的一部分,它代表了变频器系统性能和效率之间的最佳平衡,在那里低损耗和短路功能是必不可少的。
严格的参数分布
低热阻
软且恢复速度极快的反并联二极管