STMicroelectronics N型沟道 IGBT, Ic 85 A, VCEO 1600 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装, 331 ns

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RS 库存编号:
468-508
制造商零件编号:
STGWA30IH160DF2
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

IGBT

最大连续集电极电流 Ic

85A

最大集电极-发射极电压 Vceo

1600V

最大功耗 Pd

395W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

开关速度

331ns

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

最低工作温度

-55°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.2V

最高工作温度

175°C

宽度

15.9 mm

系列

IH2

标准/认证

No

长度

20.1mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics的IGBT采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发而成,其性能在导通和开关损耗方面都得到了优化,可实现软换向。包含一个具有低正向压降的续流二极管。其结果是一款专为最大限度提高所有谐振和软切换应用的效率而设计的产品。

尾电流最小化

严格的参数分布

低热阻