STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 85A, VCEO 1600V, 3针, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 468-508
- 制造商零件编号:
- STGWA30IH160DF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 468-508
- 制造商零件编号:
- STGWA30IH160DF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 85A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1600V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 最大功率耗散 | 395 | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 配置 | 单 | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 85A | ||
最大集电极-发射极电压 1600V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
最大功率耗散 395 | ||
晶体管数 1 | ||
配置 单 | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics的IGBT采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发而成，其性能在导通和开关损耗方面都得到了优化，可实现软换向。包含一个具有低正向压降的续流二极管。其结果是一款专为最大限度提高所有谐振和软切换应用的效率而设计的产品。
尾电流最小化
严格的参数分布
低热阻
严格的参数分布
低热阻