Infineon N沟道IGBT, Ic 15 A, VCEO 1200 V, 3针, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 110-7153
- 制造商零件编号:
- IGW15N120H3FKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 110-7153
- 制造商零件编号:
- IGW15N120H3FKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 15 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 217 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| 额定能量 | 2.5mJ | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 栅极电容 | 875pF | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 15 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 217 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
额定能量 2.5mJ | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
栅极电容 875pF | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，电压 1100 至 1600V
一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。
• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V
• 极低 VCEsat
• 低关闭损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最高接点温度 175°C
• 极低 VCEsat
• 低关闭损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最高接点温度 175°C
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
IGBT 分立件和模块，Infineon
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