Infineon N型沟道, IGW40N65F5FKSA1 IGBT, Ic 74 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 110-7425
- 制造商零件编号:
- IGW40N65F5FKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 110-7425
- 制造商零件编号:
- IGW40N65F5FKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 74A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.1V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±30 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | TrenchStop | |
| 标准/认证 | JEDEC, RoHS, Pb-free lead plating | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 额定能量 | 0.46mJ | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 74A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.1V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±30 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 TrenchStop | ||
标准/认证 JEDEC, RoHS, Pb-free lead plating | ||
汽车标准 否 | ||
额定能量 0.46mJ | ||
Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，600V 和 650V
Infineon 推出的一系列 IGBT 晶体管，采用 TrenchStop™ 技术，集电极/发射极额定电压为 600V 和 650V。该系列包含集成了高速、快速恢复反并联二极管的器件。
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• 非常低的 VCEsat
• 低关断损耗
• 短拖尾电流
• 低 EMI
• 最高结温：175°C
IGBT 分立器件和模块，Infineon
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