Infineon N沟道IGBT模块, 双个串行晶体管, Ic 150 A, VCEO 1200 V, AG-34MM-1, 面板安装

查看所有IGBT
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
RS 库存编号:
111-6082
制造商零件编号:
FF150R12RT4HOSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

最大连续集电极电流

150 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

±20V

晶体管数

2

最大功率耗散

790 W

配置

串行

封装类型

AG-34MM-1

安装类型

面板

通道类型

N

晶体管配置

串行

尺寸

94 x 34 x 30.2mm

栅极电容

9.35nF

最高工作温度

+150 °C

最低工作温度

-40 °C

英飞凌 IGBT 模块，150A 最大连续集电极电流，1200V 最大集电极发射极电压 - FF150R12RT4HOSA1


这种 IGBT 模块专为高频开关应用而设计，有效地将两个晶体管串联在一起。它可在 -40°C 至 +150°C 的温度范围内高效运行。该模块的封装尺寸为 94 x 34 x 30.2 毫米，结构紧凑，非常适合集成到各种工业系统中。

特点和优势


• 额定最大连续集电极电流为 150A，确保性能可靠
• 集电极-发射极电压最高可达 1200V，可实现稳健使用
• 开关损耗低，整体能效更高
• 隔离式底板改进了热管理和可靠性
• AG-34MM-1 封装类型简化了面板安装配置的安装过程

应用


• 适用于自动化系统中的电机驱动装置
• 用于不间断电源，提高可靠性
• 有效实现跨行业的高频切换
• 适用于电力电子转换器，实现无缝操作
• 与工业自动化框架完美结合

该 IGBT 模块的热特性如何？


模块从结点到外壳的热阻为 0.19 K/W，这对保持运行效率至关重要。它还支持广泛的电源循环，在结温 125°C 和温差 50K 的条件下可达到指定的 300,000 次循环。

这种 IGBT 模块在高温下的性能如何？


它能在 150°C 的最高结温下有效工作，确保在要求苛刻的应用中经久耐用，同时保持较低的 VCEsat，正温度系数进一步增强了其稳定的性能。

栅极驱动特性的优势何在？


该 IGBT 模块的栅极电荷为 1.25μC，开关时间短，有利于现代工业应用中必不可少的高频操作。它还支持 ±20V 的栅极发射极电压，以实现灵活的驱动调节。

该产品是否适用于汽车应用中的电力电子设备？


是的，其强大的规格和可靠性使其成为汽车系统中电力电子设备的可行选择，因为在汽车系统中，高效率和高可靠性是最重要的。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



IGBT 分立件和模块，Infineon


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。