Infineon N型沟道, FF100R12RT4HOSA1 igbt模块, Ic 100 A, VCEO 1200 V, AG-34MM-1, 夹子安装

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RS 库存编号:
111-6088
Distrelec 货号:
302-83-938
制造商零件编号:
FF100R12RT4HOSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

igbt模块

最大连续集电极电流 Ic

100A

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

最大功耗 Pd

555W

包装类型

AG-34MM-1

安装类型

夹子

槽架类型

N型

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.15V

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最高工作温度

150°C

长度

94mm

标准/认证

RoHS

高度

30.2mm

汽车标准

否

IGBT 模块，Infineon


Infineon

TM

TMTMTM

IGBT 分立器件和模块，Infineon


绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 是一种三端子功率半导体器件，以高效率和快速开关特性著称。IGBT 在单个器件中，将用于控制输入的隔离栅 FET 和用作开关的双极型功率晶体管相结合，从而兼具 MOSFET 的简单栅极驱动特性以及双极型晶体管的高电流、低饱和电压能力。