Infineon N型沟道, FP75R12KE3BOSA1 igbt模块, Ic 105 A, VCEO 1200 V, AG-ECONO3-3, 夹子安装, 0.26 μs

可享批量折扣

小计(1 件)*

¥837.15

(不含税)

¥945.98

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2028年3月03日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
1 - 2RMB837.15
3 - 4RMB812.03
5 +RMB795.79

* 参考价格

RS 库存编号:
111-6095
制造商零件编号:
FP75R12KE3BOSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

105A

产品类型

igbt模块

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

最大功耗 Pd

355W

包装类型

AG-ECONO3-3

安装类型

夹子

槽架类型

N型

开关速度

0.26μs

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.2V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

125°C

标准/认证

RoHS

宽度

62 mm

长度

122mm

高度

17mm

汽车标准

不适用

IGBT 模块,Infineon


Infineon

TM

TMTMTM

IGBT 分立器件和模块,Infineon


绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 是一种三端子功率半导体器件,以高效率和快速开关特性著称。IGBT 在单个器件中,将用于控制输入的隔离栅 FET 和用作开关的双极型功率晶体管相结合,从而兼具 MOSFET 的简单栅极驱动特性以及双极型晶体管的高电流、低饱和电压能力。