Semikron Danfoss N沟道IGBT模块串行晶体管, Ic 1.1 kA, VCEO 1200 V, 11针, SEMiX®3p, 通孔安装

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RS 库存编号:
122-0393
制造商零件编号:
SEMiX603GB12E4p
制造商:
Semikron Danfoss
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品牌

Semikron Danfoss

最大连续集电极电流

1.1 kA

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

20V

封装类型

SEMiX®3p

配置

串行

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

11

晶体管配置

串行

尺寸

150 x 62.4 x 17mm

最低工作温度

-40 °C

最高工作温度

+175 °C

SEMiX® 双 IGBT 模块


Semikron 的双 IGBT 模块采用现代薄型 SEMiX® 封装，适用于半桥电源控制应用。 该模块使用无焊接弹簧或压配安装触点，允许栅极驱动器直接安装在模块顶部，可节省空间，且可提供更大的连接可靠性。 典型应用包括交流反相器驱动器、UPS、电子焊接和可再生能源系统。
有关合适的压配栅极驱动器模块，请参见 122-0385 至 122-0387

• 薄型无焊接安装封装
• Trenchgate 技术 IGBT
• VCE(sat) 具有正温度系数
• 高短路电流能力
• 压配引脚可用作辅助触点
• UL 认证


IGBT 模块，Semikron


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。