onsemi N沟道IGBT, Ic 100 A, VCEO 1200 V, 3针, TO-247, 通孔安装, 1MHz
- RS 库存编号:
- 123-8830P
- 制造商零件编号:
- NGTB25N120FL3WG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 123-8830P
- 制造商零件编号:
- NGTB25N120FL3WG
- 制造商:
- onsemi
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选择全部 | 属性 | 值 |
---|---|---|
品牌 | onsemi | |
最大连续集电极电流 | 100 A | |
最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
最大栅极发射极电压 | ±20V | |
最大功率耗散 | 349 W | |
封装类型 | TO-247 | |
安装类型 | 通孔 | |
通道类型 | N | |
引脚数目 | 3 | |
开关速度 | 1MHz | |
晶体管配置 | 单 | |
尺寸 | 16.25 x 5.3 x 21.4mm | |
最低工作温度 | -55 °C | |
栅极电容 | 3085pF | |
最高工作温度 | +175 °C | |
选择全部 | ||
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品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 100 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 349 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 16.25 x 5.3 x 21.4mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
栅极电容 3085pF | ||
最高工作温度 +175 °C | ||