Infineon N型沟道, FZ400R12KE3HOSA1 igbt模块, 1个, Ic 400 A, VCEO 1.2 kV, 5引脚, 62MM 模块, 表面安装, 1 MHz

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124-8790
制造商零件编号:
FZ400R12KE3HOSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

400A

产品类型

igbt模块

最大集电极-发射极电压 Vceo

1.2kV

晶体管数

1

最大功耗 Pd

2.25kW

包装类型

62MM 模块

安装类型

表面

槽架类型

N型

引脚数目

5

开关速度

1MHz

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.15V

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最高工作温度

125°C

标准/认证

No

高度

36.5mm

长度

106.4mm

系列

FZ400R12KE3

宽度

61.4 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

IGBT 模块,Infineon


Infineon 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。

IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。

封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT 分立件和模块,Infineon


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。