IXYS N沟道IGBT, Ic 430 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247AD, 通孔安装, 5 → 30kHz

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RS 库存编号:
125-8049
制造商零件编号:
IXXH80N65B4H1
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

最大连续集电极电流

430 A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

±20V

晶体管数

1

最大功率耗散

625 W

封装类型

TO-247AD

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

5 → 30kHz

晶体管配置

尺寸

16.1 x 5.2 x 21.3mm

最低工作温度

-55 °C

最高工作温度

+175 °C

额定能量

5.2mJ

COO (Country of Origin):
PH

IGBT 分立,IXYS


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IGBT 分立元件和模块,IXYS


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。