Infineon N型沟道 IGBT, Ic 53 A, VCEO 600 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装, 30 kHz

可享批量折扣

小计(1 包,共 10 件)*

¥109.03

(不含税)

¥123.20

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位
每单位
每包*
10 - 10RMB10.903RMB109.03
20 +RMB10.794RMB107.94

* 参考价格

RS 库存编号:
144-1205
制造商零件编号:
IKW30N60DTPXKSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

53A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

600V

最大功耗 Pd

200W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

开关速度

30kHz

最低工作温度

-40°C

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.8V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

系列

TrenchStop

汽车标准

额定能量

1.13mJ

Infineon TrenchStop IGBT 晶体管,600 和 650V


一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

IGBT 分立件和模块,Infineon


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。