Infineon N型沟道 IGBT, Ic 75 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 145-9575
- 制造商零件编号:
- IKW75N65EL5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 145-9575
- 制造商零件编号:
- IKW75N65EL5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 75A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 536W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.35V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 21.1 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 5.21mm | |
| 系列 | TrenchStop | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 额定能量 | 7.22mJ | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 75A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 536W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.35V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 21.1 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 5.21mm | ||
系列 TrenchStop | ||
长度 16.13mm | ||
额定能量 7.22mJ | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
• 极低的 VCEsat
• 低断开损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最大接点温度为 175°C
IGBT 分立件和模块，Infineon
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。