Infineon P沟道IGBT, Ic 150 A, VCEO 1200 V, 3针, TO-247, 通孔安装, 20kHz

为了响应在更小、节省空间的封装内容纳不断增加的硅数量的市场要求，Infineon 推出 1200V IGBT 的全新封装 TO-247PLUS。更高的电流容量，更佳的热行为。TO-247PLUS 具有与工业标准 TO-247 相同的外部尺寸，但由于不存在螺钉孔，所以在与全额 75A 二极管一起封装的 1200V 中允许高达 75A 电流。

高功率密度 - 高达 75 A 1200 V IGBT 与 75 A 二极管一起封装在 TO-247 封装中
与 TO-247 3 引脚相比，R th(jh) 降低 20%
扩展的集电极-发射极引脚爬电距离 4.25 mm
扩展的夹爬电距离（由于该封装的全包式前面）
更高的系统功率密度 - I C 增加，保持相同的系统热性能
与 TO-247 相比，TO-247PLUS 的热阻 R th(jh) 较低，散热能力提高约 15%
更高的可靠性，延长器件的使用寿命