Infineon P型沟道, IKQ75N120CT2XKSA1 IGBT, Ic 150 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装, 20 kHz

RS 库存编号:: 162-3324P
制造商零件编号:: IKQ75N120CT2XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道, IKQ75N120CT2XKSA1 IGBT, Ic 150 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装, 20 kHz

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RS 库存编号:: 162-3324P
制造商零件编号:: IKQ75N120CT2XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	IGBT
	最大连续集电极电流 Ic	150A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1200V
	最大功耗 Pd	938W
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	槽架类型	P型
	引脚数目	3
	开关速度	20kHz
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2.15V
	最低工作温度	-40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	系列	TrenchStop
	汽车标准	否
	额定能量	10.8mJ

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 IGBT
	最大连续集电极电流 Ic 150A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V
	最大功耗 Pd 938W
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	槽架类型 P型
	引脚数目 3
	开关速度 20kHz
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.15V
	最低工作温度 -40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	系列 TrenchStop
	汽车标准否
	额定能量 10.8mJ

为满足市场对更小、更节省空间的封装以容纳尺寸日益增大的芯片的需求，Infineon 现推出用于 1200V IGBT 的全新 TO-247PLUS 封装。更高的电流承载能力，更优的热性能。TO-247PLUS 的外形尺寸与行业标准的 TO-247 相同，但因取消了螺丝孔设计，可集成高达 75A 的 1200V IGBT，并协同封装一个全额定 75A 二极管。

高功率密度 – 在 TO-247 封装尺寸内，协同封装高达 75A 的 1200V IGBT 和 75A 二极管

与 TO-247 3 引脚封装相比，Rth(jh) 降低 20%

集电极/发射极引脚爬电距离延长至 4.25mm

因封装正面采用全密封设计，夹具爬电距离得以延长

更高的系统功率密度 – 在保持相同系统热性能的同时，提高 Ic 电流

TO-247PLUS 的热阻 Rth(jh) 更低，散热能力比 TO-247 提升约 15%

可靠性更高，器件使用寿命更长

Infineon P型沟道, IKQ75N120CT2XKSA1 IGBT, Ic 150 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装, 20 kHz

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