Infineon P型沟道 IGBT, Ic 150 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装, 20 kHz

可享批量折扣

小计 8 件 (按管提供)*

¥747.28

(不含税)

¥844.40

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 8 件在 2026年3月30日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
8 - 14RMB93.41
15 +RMB88.79

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
162-3324P
制造商零件编号:
IKQ75N120CT2XKSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

150A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

最大功耗 Pd

938W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

P型

引脚数目

3

开关速度

20kHz

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.15V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

系列

TrenchStop

额定能量

10.8mJ

汽车标准

为满足市场对更小、更节省空间的封装以容纳尺寸日益增大的芯片的需求,Infineon 现推出用于 1200V IGBT 的全新 TO-247PLUS 封装。更高的电流承载能力,更优的热性能。TO-247PLUS 的外形尺寸与行业标准的 TO-247 相同,但因取消了螺丝孔设计,可集成高达 75A 的 1200V IGBT,并协同封装一个全额定 75A 二极管。

高功率密度 – 在 TO-247 封装尺寸内,协同封装高达 75A 的 1200V IGBT 和 75A 二极管

与 TO-247 3 引脚封装相比,Rth(jh) 降低 20%

集电极/发射极引脚爬电距离延长至 4.25mm

因封装正面采用全密封设计,夹具爬电距离得以延长

更高的系统功率密度 – 在保持相同系统热性能的同时,提高 Ic 电流

TO-247PLUS 的热阻 Rth(jh) 更低,散热能力比 TO-247 提升约 15%

可靠性更高,器件使用寿命更长