Infineon P沟道IGBT, Ic 75 A, VCEO 1200 V, 3针, TO-247, 通孔安装, 20kHz
- RS 库存编号:
- 162-3324P
- 制造商零件编号:
- IKQ75N120CT2XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 162-3324P
- 制造商零件编号:
- IKQ75N120CT2XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 75 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 938 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | P | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 20kHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.9 x 5.1 x 21.1mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 额定能量 | 10.8mJ | |
| 栅极电容 | 4856pF | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 75 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 938 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 P | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 20kHz | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.9 x 5.1 x 21.1mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
额定能量 10.8mJ | ||
栅极电容 4856pF | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
为了响应在更小、节省空间的封装内容纳不断增加的硅数量的市场要求，Infineon 推出 1200V IGBT 的全新封装 TO-247PLUS。更高的电流容量，更佳的热行为。TO-247PLUS 具有与工业标准 TO-247 相同的外部尺寸，但由于不存在螺钉孔，所以在与全额 75A 二极管一起封装的 1200V 中允许高达 75A 电流。
高功率密度 - 高达 75 A 1200 V IGBT 与 75 A 二极管一起封装在 TO-247 封装中
与 TO-247 3 引脚相比，R th(jh) 降低 20%
扩展的集电极-发射极引脚爬电距离 4.25 mm
扩展的夹爬电距离（由于该封装的全包式前面）
更高的系统功率密度 - I C 增加，保持相同的系统热性能
与 TO-247 相比，TO-247PLUS 的热阻 R th(jh) 较低，散热能力提高约 15%
更高的可靠性，延长器件的使用寿命
与 TO-247 3 引脚相比，R th(jh) 降低 20%
扩展的集电极-发射极引脚爬电距离 4.25 mm
扩展的夹爬电距离（由于该封装的全包式前面）
更高的系统功率密度 - I C 增加，保持相同的系统热性能
与 TO-247 相比，TO-247PLUS 的热阻 R th(jh) 较低，散热能力提高约 15%
更高的可靠性，延长器件的使用寿命