STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 25 A, VCEO 475 V, 3针, D2PAK, 贴片安装
- RS Stock No.:
- 164-7013P
- Mfr. Part No.:
- STGB20N45LZAG
- Brand:
- STMicroelectronics
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Units | Per unit |
|---|---|
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- RS Stock No.:
- 164-7013P
- Mfr. Part No.:
- STGB20N45LZAG
- Brand:
- STMicroelectronics
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 25 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 475 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 16V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 9.35mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 额定能量 | 300mJ | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 栅极电容 | 1011pF | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 25 A | ||
最大集电极-发射极电压 475 V | ||
最大栅极发射极电压 16V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 150 W | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 贴片 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 10.4 x 4.6 x 9.35mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
额定能量 300mJ | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
栅极电容 1011pF | ||
此应用特定的 IGBT 采用最先进的 PowerMESH™ 技术，该技术专为在恶劣的汽车点火开关系统环境下驱动线圈而优化。这些设备在宽工作温度范围内显示出极低的通态电压和极高的 SCIS 能量。此外，ESD 保护逻辑电平栅极输入和集成栅极电阻器意味着无需外部保护电路
TJ = 25 °C 时 SCIS 能量为 300 mJ
SCIS 中的部件经过 100% 测试
ESD 栅极发射器保护
栅极控制器高电压钳位
逻辑电平栅极驱动
极低饱和电压
高脉冲电流容量
栅极和栅极发射器电阻器
SCIS 中的部件经过 100% 测试
ESD 栅极发射器保护
栅极控制器高电压钳位
逻辑电平栅极驱动
极低饱和电压
高脉冲电流容量
栅极和栅极发射器电阻器