STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 30 A, VCEO 390 V, 1 MHz, TO-252, STGD18N40LZ系列

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165-6607
制造商零件编号:
STGD18N40LZT4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

IGBT

最大连续集电极电流 Ic

30A

最大集电极-发射极电压 Vceo

390V

最大功耗 Pd

150W

包装类型

TO-252

安装类型

表面

槽架类型

N

引脚数目

3

开关速度

1MHz

最大栅极发射极电压 VGEO

16 V

最低工作温度

-55°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.7V

最高工作温度

175°C

宽度

6.2mm

系列

STGD18N40LZ

长度

6.6mm

标准/认证

AEC Q101

高度

2.4mm

额定能量

180mJ

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

IGBT 分立，STMicroelectronics


IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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