Infineon 1200 V 50 A IGBT, 3引脚, 通孔安装, N通道, 1MHz

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RS 库存编号:
165-8122
制造商零件编号:
IRG7PH35UD-EP
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

50 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

±30V

最大功率耗散

180 W

封装类型

TO-247AD

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

1MHz

晶体管配置

尺寸

15.87 x 5.31 x 20.7mm

最低工作温度

-55 °C

额定能量

2150mJ

最高工作温度

+150 °C

栅极电容

1940pF

COO (Country of Origin):
MX

Co-Pack IGBT 超过 21A,Infineon


Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。

IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置

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IGBT 晶体管,International Rectifier


International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。