Infineon N型沟道 IGBT, Ic 50 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 165-8131
- 制造商零件编号:
- IKW25N120H3FKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 165-8131
- 制造商零件编号:
- IKW25N120H3FKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 50A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 326W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.7V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, Pb-free lead plating, JEDEC | |
| 系列 | TrenchStop | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 额定能量 | 4.3mJ | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 50A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 326W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.7V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, Pb-free lead plating, JEDEC | ||
系列 TrenchStop | ||
汽车标准 否 | ||
额定能量 4.3mJ | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
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• 集电极/发射极电压范围 1100V 至 1600V
• 非常低的 VCEsat
• 低关断损耗
• 短拖尾电流
• 低 EMI
• 最高结温：175°C
IGBT 分立器件和模块，Infineon
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