Infineon N沟道IGBT, Ic 75 A, VCEO 1200 V, 3针, TO-247, 通孔安装, 1MHz
- RS Stock No.:
- 165-8178
- Mfr. Part No.:
- IKW40N120T2FKSA1
- Brand:
- Infineon
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- IKW40N120T2FKSA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 75 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 480 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| 栅极电容 | 2360pF | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 额定能量 | 8.3mJ | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 75 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 480 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
栅极电容 2360pF | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
额定能量 8.3mJ | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon TrenchStop IGBT 晶体管,电压 1100 至 1600V
一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管,带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。
集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V
极低 VCEsat
低关闭损耗
短尾线电流
低 EMI
最高接点温度 175°C
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低 EMI
最高接点温度 175°C
该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。
IGBT 分立件和模块,Infineon
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