Infineon N型沟道 igbt模块, Ic 275 A, VCEO 1200 V, AG-62MM-1, 夹子安装
- RS 库存编号:
- 166-0898
- 制造商零件编号:
- FF200R12KS4HOSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 166-0898
- 制造商零件编号:
- FF200R12KS4HOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 275A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 1400W | |
| 包装类型 | AG-62MM-1 | |
| 安装类型 | 夹子 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 3.85V | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 高度 | 30.5mm | |
| 标准/认证 | UL (E83335) | |
| 宽度 | 61.4 mm | |
| 系列 | FF200R12KS4 | |
| 长度 | 106.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大连续集电极电流 Ic 275A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 1400W | ||
包装类型 AG-62MM-1 | ||
安装类型 夹子 | ||
槽架类型 N型 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 3.85V | ||
最高工作温度 125°C | ||
高度 30.5mm | ||
标准/认证 UL (E83335) | ||
宽度 61.4 mm | ||
系列 FF200R12KS4 | ||
长度 106.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
IGBT 模块，Infineon
Infineon
TM
TMTMTM
IGBT 分立器件和模块，Infineon
绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 是一种三端子功率半导体器件，以高效率和快速开关特性著称。IGBT 在单个器件中，将用于控制输入的隔离栅 FET 和用作开关的双极型功率晶体管相结合，从而兼具 MOSFET 的简单栅极驱动特性以及双极型晶体管的高电流、低饱和电压能力。