IXYS N沟道IGBT, Ic 100 A, VCEO 600 V, 3针, TO-264, 通孔安装, 20 → 60kHz

可享批量折扣

小计(1 管,共 25 件)*

¥3,912.90

(不含税)

¥4,421.575

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 50 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
Per Tube*
25 - 25RMB156.516RMB3,912.90
50 +RMB153.386RMB3,834.65

* 参考价格

RS 库存编号:
168-4587
制造商零件编号:
IXXK100N60C3H1
制造商:
IXYS
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

IXYS

最大连续集电极电流

100 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

±20V

晶体管数

1

最大功率耗散

695 W

封装类型

TO-264

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

20 → 60kHz

晶体管配置

尺寸

20.3 x 5.3 x 26.6mm

最高工作温度

+150 °C

额定能量

600mJ

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
PH

IGBT 分立,IXYS


该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。



IGBT 分立元件和模块,IXYS


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。