IXYS N型沟道, IXYN100N120C3H1 IGBT, Ic 62 A, VCEO 1200 V, 4引脚, SOT-227B, 表面安装, 50 kHz
- RS 库存编号:
- 168-4762
- 制造商零件编号:
- IXYN100N120C3H1
- 制造商:
- IXYS
可享批量折扣
小计（1 管，共 10 件）*
¥4,399.36
(不含税)
¥4,971.28
(含税)
有库存
- 另外 90 件在 2026年3月23日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB439.936 | RMB4,399.36 |
| 20 - 30 | RMB431.137 | RMB4,311.37 |
| 40 + | RMB418.203 | RMB4,182.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 168-4762
- 制造商零件编号:
- IXYN100N120C3H1
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 62A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 690W | |
| 包装类型 | SOT-227B | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 开关速度 | 50kHz | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 3.5V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 系列 | Planar | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
最大连续集电极电流 Ic 62A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 690W | ||
包装类型 SOT-227B | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 4 | ||
开关速度 50kHz | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 3.5V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
系列 Planar | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- US
IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列
IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。
高功率密度和低 VCE(sat)
方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压
短路容量，确保 10usec
正向通态电压温度系数
可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管
国际标准和专有高电压封装
IGBT 分立元件和模块，IXYS
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。