STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 6 A, VCEO 1200 V, 3针, TO-220FP, 通孔安装, 1MHz

可享批量折扣

小计(1 管,共 50 件)*

¥541.95

(不含税)

¥612.40

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 1,350 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
Per Tube*
50 - 200RMB10.839RMB541.95
250 +RMB10.514RMB525.70

* 参考价格

RS 库存编号:
168-7740
制造商零件编号:
STGF3NC120HD
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流

6 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

25 W

封装类型

TO-220FP

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

1MHz

晶体管配置

尺寸

10.4 x 4.6 x 16.4mm

最低工作温度

-55 °C

最高工作温度

+150 °C

COO (Country of Origin):
CN

IGBT 分立,STMicroelectronics


该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。



IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。