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    STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 30 A, VCEO 600 V, 3针, TO-220FP, 通孔安装, 1MHz

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    RS 库存编号:
    168-8738
    制造商零件编号:
    STGF15H60DF
    制造商:
    STMicroelectronics
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    品牌

    STMicroelectronics

    最大连续集电极电流

    30 A

    最大集电极-发射极电压

    600 V

    最大栅极发射极电压

    ±20V

    最大功率耗散

    30 W

    封装类型

    TO-220FP

    安装类型

    通孔

    通道类型

    N

    引脚数目

    3

    开关速度

    1MHz

    晶体管配置

    尺寸

    10.4 x 4.6 x 16.4mm

    最高工作温度

    +175 °C

    最低工作温度

    -55 °C