onsemi P沟道IGBT, Ic 60 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247 G03, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 178-4259
- 制造商零件编号:
- FGH60T65SQD-F155
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB24.535 | RMB736.05 |
| 60 - 270 | RMB23.799 | RMB713.97 |
| 300 + | RMB23.085 | RMB692.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-4259
- 制造商零件编号:
- FGH60T65SQD-F155
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 60 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±30V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 333 W | |
| 封装类型 | TO-247 G03 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | P | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 栅极电容 | 3813pF | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 额定能量 | 50mJ | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 60 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±30V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 333 W | ||
封装类型 TO-247 G03 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 P | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
栅极电容 3813pF | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
额定能量 50mJ | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ON semiconductor 的新系列场截止第 4 代 IGBT 采用创新的场截止 IGBT 技术，为低传导和切换损耗至关重要的太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS 和 PFC 应用提供最佳性能。
最大接点温度：TJ = 175 °C
正温度系数易于并行操作
高电流容量
低饱和电压：VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 60 A
高输入阻抗
快速切换
严格的参数分布
应用
太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS、PFC
正温度系数易于并行操作
高电流容量
低饱和电压：VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 60 A
高输入阻抗
快速切换
严格的参数分布
应用
太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS、PFC