onsemi P型沟道 IGBT, Ic 40 A, VCEO 1200 V, 4引脚, TO-247, 通孔安装

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包装方式:
RS 库存编号:
178-4594P
制造商零件编号:
FGH40T120SQDNL4
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大连续集电极电流 Ic

40A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

最大功耗 Pd

227W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

P型

引脚数目

4

最大栅极发射极电压 VGEO

±30 V

最低工作温度

-55°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.78V

最高工作温度

175°C

系列

Field Stop

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
这款绝缘栅级双极晶体管 (IGBT) 具有坚固且经济高效的超场截止沟道结构,可在苛刻的切换应用中提供卓越的性能,同时提供低通态状态电压和最小的切换损耗。IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该设备内置了一个柔软且快速的共封装续流二极管,具有低正向电压。

极为高效的沟道,采用场截止技术 • TJmax = 175 °C •柔软快速反向恢复二极管 • 经优化用于高速切换 • 它们是无铅设备

应用

太阳能逆变器 UPS 焊接