onsemi P沟道IGBT, Ic 160 A, VCEO 1200 V, 4针, TO-247, 通孔安装
- RS Stock No.:
- 178-4594P
- Mfr. Part No.:
- FGH40T120SQDNL4
- Brand:
- onsemi
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Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 160 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±30V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 454 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | P | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | |
| 栅极电容 | 5000pF | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 160 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±30V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 454 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 P | ||
引脚数目 4 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.8 x 5.2 x 22.74mm | ||
栅极电容 5000pF | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
这款绝缘栅级双极晶体管 (IGBT) 具有坚固且经济高效的超场截止沟道结构，可在苛刻的切换应用中提供卓越的性能，同时提供低通态状态电压和最小的切换损耗。IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该设备内置了一个柔软且快速的共封装续流二极管，具有低正向电压。
极为高效的沟道，采用场截止技术 • TJmax = 175 °C •柔软快速反向恢复二极管 • 经优化用于高速切换 • 它们是无铅设备
应用
太阳能逆变器 UPS 焊接
应用
太阳能逆变器 UPS 焊接