Vishay 晶体管 - IGBT

可享批量折扣

小计 760 件 (以卷装提供)*

¥2,582.48

(不含税)

¥2,918.40

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 2,960 个,准备发货
单位
每单位
760 - 1480RMB3.398
1500 +RMB3.295

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
180-7754P
制造商零件编号:
SIA433EDJ-T1-GE3
制造商:
Vishay

Vishay MOSFET


Vishay 表面安装 P 沟道 PowerPAK-SC70-6 MOSFET 是一款新时代的产品,漏极源电压为 20V ,最大栅极源电压为 12V。在 4.5V 的栅极源电压下,漏极源电阻为 18mms。它的最大功耗为 19W ,连续漏极电流为 12A。它的最小和最大驱动电压分别为 1.8V 和 4.5V。此产品经过优化,可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。

特点和优势


•内置 ESD 保护,带齐纳二极管
• 无卤素
•无铅 (Pb) 组件
•低接通电阻
•新型热增强型 PowerPAK SC-70 封装
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•占地面积小
• TrenchFET 功率 MOSFET
•典型 ESD 性能为 1800V

应用


•蓄电池开关
•充电器开关
•负载开关
• 便携式设备

认证


• ANSI/ESD S20.20 : 2014
• BS EN 61340-5-1 : 2007
•经过 RG 测试

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。