Vishay P型沟道, SI7489DP-T1-E3 IGBT, 8引脚, PowerPAK SO-8, 表面安装

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包装方式：
RS 库存编号:
180-7802
制造商零件编号:
SI7489DP-T1-E3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

IGBT

最大功耗 Pd

83W

包装类型

PowerPAK SO-8

安装类型

表面

槽架类型

P型

引脚数目

8

最大栅极发射极电压 VGEO

50 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

6.25mm

标准/认证

IEC 61249-2-21

高度

1.12mm

额定能量

61mJ

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay 表面安装 P 沟道 SO-8 MOSFET 是一款新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 41mms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 83W ，连续漏极电流为 28A。它的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势


• 无卤素

•新型低热阻 PowerPAK 封装，薄型 1.07mm

•工作温度范围 -55°C 至 150°C

• PWM 优化

• TrenchFET 功率 MOSFET

应用


•半桥电动机驱动器

•高电压非同步降压转换器

•负载开关

认证


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• IEC 61249-2-21

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