Vishay P型沟道, SI7489DP-T1-E3 IGBT, 8引脚, PowerPAK SO-8, 表面安装
- RS 库存编号:
- 180-7802
- 制造商零件编号:
- SI7489DP-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7802
- 制造商零件编号:
- SI7489DP-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 50 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21 | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 长度 | 6.25mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 额定能量 | 61mJ | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 IGBT | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 P型 | ||
引脚数目 8 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 50 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21 | ||
高度 1.12mm | ||
宽度 5.15 mm | ||
长度 6.25mm | ||
汽车标准 否 | ||
额定能量 61mJ | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装 P 沟道 SO-8 MOSFET 是一款新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 41mms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 83W ，连续漏极电流为 28A。它的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
• 无卤素
•新型低热阻 PowerPAK 封装，薄型 1.07mm
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• PWM 优化
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•半桥电动机驱动器
•高电压非同步降压转换器
•负载开关
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC 61249-2-21