可享批量折扣
小计 760 件 (以卷装提供)*
¥2,869.00
(不含税)
¥3,242.16
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 520 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 760 - 1480 | RMB3.775 |
| 1500 + | RMB3.662 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7866P
- 制造商零件编号:
- SI7121ADN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装 P 沟道 PowerPAK-1212-8 MOSFET 是一款新时代的产品，漏极源电压为 30V ，最大栅极源电压为 25V。它在栅极源电压为 10V 时具有 15 mohms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 27.8W ，连续漏极电流为 18A。它的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。借助此 MOSFET ，可以以更低的成本实现出色的性能和效率。MOSFET 提供出色的效率和长工作寿命，而不影响性能或功能。
特点和优势
• 无卤素
•小尺寸低热阻 Powerpak 封装
•最大耗散功率为 27.8W
•工作温度范围介于 -50°C 和 150°C 之间
• TrenchFET 功率 MOSFET
•小尺寸低热阻 Powerpak 封装
•最大耗散功率为 27.8W
•工作温度范围介于 -50°C 和 150°C 之间
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•移动计算
•适配器开关
•负载开关 - 电池管理
• 笔记本电脑
• 电源管理
•适配器开关
•负载开关 - 电池管理
• 笔记本电脑
• 电源管理
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•经过 RG 测试
• UIS 测试
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•经过 RG 测试
• UIS 测试