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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 7 - 12 | RMB59.61 |
| 13 + | RMB57.84 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7913P
- 制造商零件编号:
- SIHG47N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 通孔 N 沟道 TO-247AC-3 MOSFET 是一种新时代的产品，漏极源电压为 600V ，最大栅极源电压为 30V。它在栅极源电压为 10V 时具有 65mohms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 379W ，连续漏极电流为 47A。驱动电压为 10V。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•快速主体二极管 MOSFET ，采用 E 系列技术
• 无卤素
•由于 Qrr 较低，因此提高了坚固性
•低品质因数 (FOM) Ron x Qg
•低输入电容 (Ciss)
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•减少 TRR ， Qrr 和 IRRM
•超低栅极电荷 (Qg)
• 无卤素
•由于 Qrr 较低，因此提高了坚固性
•低品质因数 (FOM) Ron x Qg
•低输入电容 (Ciss)
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•减少 TRR ， Qrr 和 IRRM
•超低栅极电荷 (Qg)
应用
•发光二极管 (LED)
• 3 级变频器
•交流 / 直流桥接
• ATX 电源
•高强度照明 (HID)
• LLC
•相移桥 (ZVS)
•功率因数校正电源 (PFC)
•服务器和电信电源
•太阳能 PV 变频器
• 3 级变频器
•交流 / 直流桥接
• ATX 电源
•高强度照明 (HID)
• LLC
•相移桥 (ZVS)
•功率因数校正电源 (PFC)
•服务器和电信电源
•太阳能 PV 变频器
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• UIS 测试
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• UIS 测试