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小计（1 包，共 5 件）*
¥85.19
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- 最终 5 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | RMB17.038 | RMB85.19 |
| 200 - 395 | RMB16.53 | RMB82.65 |
| 400 + | RMB16.034 | RMB80.17 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8025
- 制造商零件编号:
- SUM70060E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 N 沟道， IN-263-3 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 5.6mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 375W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•交流 / 直流开关模式电源
•电池管理
•直流 / 交流变频器
•直流 / 直流转换器
• 照明
•电机驱动开关
•同步整流器
• UPS（不间断电源）
•电池管理
•直流 / 交流变频器
•直流 / 直流转换器
• 照明
•电机驱动开关
•同步整流器
• UPS（不间断电源）