Vishay N型沟道, SUM70060E-GE3 IGBT, 3引脚, TO-263, 表面安装
- RS 库存编号:
- 180-8025
- 制造商零件编号:
- SUM70060E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | RMB17.038 | RMB85.19 |
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| 400 + | RMB16.034 | RMB80.17 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8025
- 制造商零件编号:
- SUM70060E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | ThunderFET | |
| 长度 | 15.875mm | |
| 宽度 | 10.414 mm | |
| 额定能量 | 125mJ | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 IGBT | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 ThunderFET | ||
长度 15.875mm | ||
宽度 10.414 mm | ||
额定能量 125mJ | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 N 沟道, IN-263-3 封装,是一种新时代的产品,漏极源电压为 100V ,最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 5.6mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 375W。 此产品经过优化,可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。
特点和优势
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•交流 / 直流开关模式电源
•电池管理
•直流 / 交流变频器
•直流 / 直流转换器
• 照明
•电机驱动开关
•同步整流器
• UPS(不间断电源)
